收藏本站
型号 SPD07N60S5T
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
SPD07N60S5T PDF
代理商 SPD07N60S5T
产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
标准包装 2,500
系列 CoolMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 7.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 600 毫欧 @ 4.6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 5.5V @ 350µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 35nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 970pF @ 25V
功率 - 最大 83W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装 PG-TO252-3
包装 带卷 (TR)
其它名称 SP000012113
SPD07N60S5XTINTR
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
SPD08-020-RB-TR 3M CONN HIGH SPD CARD EDGE 20 POS
SPD08-020-RB-TR 3M CONN HIGH SPD CARD EDGE 20 POS
SPD08-020-RB-TR 3M CONN HIGH SPD CARD EDGE 20 POS
SPD08-080-L-RB-TR 3M CONN CARD EDGE 80 POS W/LATCH
SPD08-080-L-RB-TR 3M CONN CARD EDGE 80 POS W/LATCH
SPD08-080-L-RB-TR 3M CONN CARD EDGE 80 POS W/LATCH
SPD08-080-RB-TR 3M CONN HIGH SPD CARD EDGE 80 POS
SPD08-080-RB-TR 3M CONN HIGH SPD CARD EDGE 80 POS
SPD08-080-RB-TR 3M CONN HIGH SPD CARD EDGE 80 POS
SPD08N50C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 560V 7.6A DPAK
SPD08N50C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 560V 7.6A DPAK
SPD08N50C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 560V 7.6A DPAK
SPD08P06P Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 8.83A DPAK
SPD08P06P G Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252
SPD08P06P G Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252
SPD08P06P G Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252
SPD09P06PL Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 9.7A DPAK
SPD09P06PL Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 9.7A DPAK
SPD09P06PL Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 9.7A DPAK
SPD09P06PL G Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3